Лазерный диод L85J6S-A/B/C-L с длиной волны 850 нм

Радиодетали - Политекс. Сеть электронных компонентов


Россия. Москва, Хорошевское шоссе. 43-В. +7 (495) 755-91-15

Беларусь. Минск, ул. Скрыганова, 6. +375 (17) 290-88-33

Украина. Киев, бульв. Лепсе, 8. +380 (44) 454-13-82

Лазерные диоды

Оптоэлектронные приборы:

Светодиоды
Мощные светодиоды
Светодиодные индикаторы
Светодиодные кластеры
Лазерные диоды и лазерные модули
Источники инфракрасного излучения
Вторичная оптика для мощных светодиодов
Алюминиевые платы для мощных светодиодов

	Оптоэлектронные приборы
	Изделия из светодиодов
	Устройства питания и управления светодиодами
	Разъемы
	Коммутационные изделия
	Пассивные компоненты
	Устройства защиты, предохранители
	Акустические компоненты
	Установочные изделия
	Разное

Бренды

Почтовая рассылка новостей сайта.

|

Лазерный диод L85J6S-A/B/C-L (AlGaAs)

лазерный диод L85J6S-A/B/C-L

Тип корпуса	TO18 (диаметр 5.6 мм)
Обратное напряжение	2V
Обратное напряжение фотодиода	30V
Рабочая температура	-10...+60 °C
Температура хранения	-40...+85 °C

Характеристики диода (при T=25°C)

Параметр	мин.	тип.	макс.
Мощность светоотдачи (mW)		40
Пороговый ток (mA)		30	45
Рабочий ток (mA)	70	95	110
Рабочее напряжение (В)		2.0	2.5
Длина волны (nm)	845	855	865
Параллельная расходимость FWHM (градусов)	7	9	12
Перпендикулярная расходимость FWHM (градусов)	25	32	40
Параллельная ширина спектра (градусов)			±2
Перпендикулярная ширина спектра (градусов)			±3
Точность тела свечения ()			±60

Конфигурация выводов

Чертеж корпуса лазерного диода

скачать документацию
(pdf, англ.яз)


			(c) Политекс 2002-2012